Como um fornecedor de alta qualidade de IGBT usa termistor NTC selado em vidro MELF, a X-Meritan acumulou profundo conhecimento profissional com muitos anos de experiência na indústria e pode fornecer melhor aos clientes produtos de qualidade e excelentes serviços de vendas. Se você precisar de termistor NTC selado em vidro MELF usa IGBT, não hesite em nos contatar para consulta.
Como exportador profissional, a X-Meritan fornece aos clientes IGBT usa termistor NTC selado de vidro MELF fabricado na China que atende aos padrões internacionais de qualidade. O IGBT é um dispositivo semicondutor de potência totalmente controlado e acionado por tensão, com baixa queda de tensão no estado ligado e é amplamente utilizado em eletrônica de potência. Ele combina as características de tensão de um MOSFET com as baixas perdas no estado de um BJT, suportando aplicações de alta corrente e alta tensão com velocidades de comutação rápidas e alta eficiência. O desempenho geral do IGBT é incomparável a outros dispositivos de energia. Sua vantagem reside na combinação da alta impedância de entrada de um MOSFET com a baixa queda de tensão no estado ligado de um GTR. Embora os GTRs ofereçam baixa tensão de saturação e alta densidade de corrente, eles também exigem altas correntes de acionamento. Os MOSFETs se destacam pelo baixo consumo de energia do drive e velocidades de comutação rápidas, mas sofrem com alta queda de tensão no estado e baixa densidade de corrente. O IGBT combina de forma inteligente as vantagens de ambos os dispositivos, mantendo baixo consumo de energia do inversor e alcançando uma baixa tensão de saturação.
Características de transferência: A relação entre a corrente do coletor e a tensão da porta. A tensão de ativação é a tensão porta-emissor que permite ao IGBT obter modulação de condutividade. A tensão de ligação diminui ligeiramente com o aumento da temperatura, com seu valor diminuindo aproximadamente 5mV para cada aumento de 1°C na temperatura. Características Volt-ampere: A característica de saída, ou seja, a relação entre a corrente do coletor e a tensão coletor-emissor, é medida com a tensão porta-emissor como variável de referência. A característica de saída é dividida em três regiões: bloqueio direto, ativo e saturação. Durante a operação, o IGBT alterna principalmente entre as regiões de bloqueio direto e de saturação.
O fabricante fornece módulos IGBT tecnologicamente avançados que cobrem vários campos e possuem capacidades de distribuição multimarcas. Através de fornecedores profissionais de componentes eletrônicos, oferecemos serviços de distribuição global.